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ASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾賽斯車規級MOS管
型號：IXFK32N100P
品牌：IXYS/艾賽斯
封裝：TO-264
漏源電流：32A
漏源擊穿電壓：1000V
RDS（ON）Max：320mΩ
引腳數量：3
特性：車規級MOS管
芯片個數：
溝道類型：N溝道MOS管
漏電流：ua
特性：N溝道MOS管、場效應管
工作溫度：-55℃~150℃
備受歡迎的IXFK32N100P車規級MOS管
艾賽斯品牌IXFK32N100P是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩定性及抗沖擊能力，能夠持續保證了IXFK32N100P的漏源電流32A，漏源擊穿電壓1000V.
?細節體現差距
IXFK32N100PL,艾賽斯品牌，工藝芯片，工藝制造，該產品穩定性高，抗沖擊能力強。
IXFK32N100P具體參數為：漏源電流：32A，漏源擊穿電壓：1000V，反向恢復時間： ns，封裝：TO-264
強元芯電子原廠渠道代理各種車規級MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。
ASEMI半導體廠家-強元芯電子專業經營分離式元器件，主要生產銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開關管、穩壓管)；玻璃鈍化（GPP）六英寸晶圓等，各種封裝參數在ASEMI官網都有詳細介紹。