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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產品可稱為元件，元件屬于不需電子元器件要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動 元件passive components) 電子的單向作用場性質在物理的范圍內失效，因為物理的點電荷概念包含了成千上萬的電子（負電）或質子（正電）。在物理中點電荷的電場是大量電子或離子的總體效應，是滿足矢量疊加的矢量場。 4性質特征編輯電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類。輕子是物質被劃分的作為基本粒子的一類。電子帶有二分之一自旋，滿足費米子的條件（按照費米-狄拉克統計）。電子所帶電荷約為-1.6×10-19庫侖，質量為9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被說為e-。與電子電性相反的粒子被稱為正電子，它帶有與電子相同的質量，自旋和等量的正電荷。電子在原子內做繞核運動， 越大距核運動的軌跡越遠，有電子運動的空間叫電子層，層多可有2個電子。層多可以有8個， n層多可容納2n2個電子，外層多容納8個電子。后一層的電子數量決定物質的化學性質是否活潑，1、2、3電子為金屬元素，4、5、6、7為非金屬元素，8為稀有氣體元素。物質的電子可以失去也可以得到，物質具有得電子的性質叫做氧化性，該物質為氧化劑；物質具有失電子的性質叫做還原性，該物質為還原劑。物質氧化性或還原性的強弱由得失電子難易決定，與得失電子多少無關。ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應用導向低端ssd… ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR