KRI 霍爾 eH 3000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI eH 3000 適合大型真空系統, 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾 eH 3000 特性
? 水冷 - 加速冷卻
? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時,大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
? 等離子轉換和穩定的功率控制
KRI 霍爾 eH 3000 技術參數
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型號
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eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
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供電
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DC magnetic confinement
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- 電壓
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50-250V VDC
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- 離子源直徑
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~ 7 cm
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- 陽極結構
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模塊化
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電源控制
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eHx-25020A
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配置
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- 陰極中和器
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Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
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- 離子束發散角度
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> 45° (hwhm)
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- 陽極
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標準或 Grooved
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- 水冷
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前板水冷
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- 底座
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移動或快接法蘭
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- 高度
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4.0'
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- 直徑
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5.7'
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- 加工材料
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金屬
電介質
半導體
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- 工藝氣體
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
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- 安裝距離
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16-45”
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- 自動控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調角度的支架;
KRI 霍爾 eH 3000 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激SM
直接沉積 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產, 和. 美國歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國中國總代理.
