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美國考夫曼公司Gridded Ion Sources (柵極離子源) 系列 RFCIP (射頻電源式考夫曼離子源), KDC (直流電源式考夫曼離子源) 已廣泛被應用于離子濺射鍍膜 (IBSD) 工藝.
離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產生正的氣體離子；在（靶）和（試樣）間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化；形成的中性原子, 從各個方向濺出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.
伯東 KRI考夫曼可控制離子的強度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC (直流電原式考夫曼離子源).
規格如下:
RFCIP (射頻式考夫曼離子源) : , , , ,
KDC (直流式考夫曼離子源): , , , , .
伯東公司為 Kaufman & Robinson, Inc (美國考夫曼公司) KRI 大中國區總代理.
伯東是德國 , , , , 美國 , , 美國 , 美國 Ambrell 和日本 NS 等進口品牌的指定代理商.
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